工业控制与PLC
为隔离采样、现场接口及控制单元提供紧凑型隔离电源。
选择电气条件,右侧即时给出建议料号。结果用于方案初筛,批量导入前仍需结合整流方式、温升和PCB散热条件验证。
SN650x两路开关交替驱动中心抽头初级,在磁芯中建立双向磁通;能量经次级整流与滤波后,形成与控制侧电气隔离的直流电源。
覆盖最高输入电压、最低开关频率及高温条件,避免磁芯进入饱和。
影响关断尖峰、共模电流与EMI,是IGBT/SiC驱动的重要评估项。
耐压只是起点,还应结合工作电压、爬电距离与系统安规综合判断。
同一匝比可对应不同封装、带载能力和绝缘结构。先确定系统边界,再比较尺寸与成本。
| EASTEVER料号 | LK料号 | 建议匝比 | 典型转换 | 隔离 | 尺寸(mm) | 系列定位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EPF-1006-90012 | LT31-111 | 1:1.1 | 5V→5V | 2500Vrms | 6.73×10.05×4.19 | 紧凑型 |
| EPF-1006-90013 | LT31-117 | 1:1.7 | 3.3V→5V | 2500Vrms | 6.73×10.05×4.19 | 紧凑型 |
| EPF-1006-90014 | LT31-113 | 1:1.3 | 3.3V→3.3V / 5V→5V | 2500Vrms | 6.73×10.05×4.19 | 紧凑型 |
| EPF-1006-90015 | LT31-120 | 1:2.1 | 3.3V→5V | 2500Vrms | 6.73×10.05×4.19 | 紧凑型 |
| EPF-1208 系列 | LT41系列 | 1:1.1–1:2.1 | 3.3V / 5V多组合 | 2500Vrms | 8.3×12.6×4.1 | 最高1A |
| EPF-1209-13734 | LT51-111 | 1:1.1 | 3.3V→3.3V / 5V→5V | 5000Vrms | 9.14×12.7×7.37 | 加强绝缘 |
| EPF-1209-13769 | LT51-117 | 1:1.7 | 3.3V→5V | 5000Vrms | 9.14×12.7×7.37 | 加强绝缘 |
| EPF-1209-13638 | LT51-113 | 1:1.3 | 5V→3.3V / 等压输出 | 5000Vrms | 9.14×12.7×7.37 | 加强绝缘 |
| EPF-1209-13626 | LT51-120 | 1:2.1 | 3.3V→5V | 5000Vrms | 9.14×12.7×7.37 | 加强绝缘 |
注:表中转换关系为选型参考。实际输出能力与驱动芯片、输入范围、整流器件、负载及散热条件有关,请以正式规格书和样品测试为准。
为隔离采样、现场接口及控制单元提供紧凑型隔离电源。
适用于RS-485、CAN及其他工业总线收发器的隔离侧供电。
降低地环路和共模干扰对模拟前端与传感器信号的影响。
可选5000Vrms加强绝缘结构,服务高dv/dt功率器件驱动电源。
查看对应IC、匝比、伏秒积、隔离耐压、尺寸、输出电流和开关频率范围。
显示比例:100%
点击对应系列,直接打开或下载PDF规格书。
实际输出还会受到SN650x开关管压降、整流二极管压降、绕组直流电阻以及负载调整率影响。如果后级带LDO,还需要预留足够压差,因此通常需要比理想电压比更高的匝比。
不是。1A为EPF-1208/LT41高电流系列在对应电路条件下的方案能力。紧凑型与5000Vrms加强绝缘系列具有不同的电流等级,应以具体料号、驱动芯片及测试条件为准。
高dv/dt场景还应关注原副边寄生电容、漏感、绕组对称性、温升和高温饱和裕量。它们会直接影响共模电流、EMI、关断尖峰与栅极误导通风险。
获取对应料号、样品及应用验证建议,缩短SN650x隔离电源导入周期。
James Wang
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